Вышедшие номера
Новый метод определения резкости гетеропереходов InGaAs/GaAs при послойном Оже-анализе
Дроздов М.Н.1, Данильцев В.М.1, Дроздов Ю.Н.1, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: drm@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 3 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Впервые обнаружено, что явление ионно-стимулированной сегрегации индия может быть использовано для повышения разрешения по глубине при послойном Оже-анализе гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs. Показано, что посредством варьирования энергии распыляющего ионного пучка Ar+ 1 keV-> 0.5 keV в области гетероперехода GaAs/InGaAs можно оценить резкость гетероперехода с разрешением порядка 0.5 nm, определяемым разностью длин проективных пробегов ионов Ar+ с энергиями 1 и 0.5 keV и не связанным с глубиной выхода Оже-электронов.