Вышедшие номера
К свойствам радиационного дефекта, ответственного за полосу ИК-поглощения 1.0 eV в арсениде галлия
Джибути З.В.1, Долидзе Н.Д.1
1Тбилисский государственный университет им. И. Джавахишвили
Поступила в редакцию: 29 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.

Измерены спектры поглощения при температуре 77oC образцов GaAs n-типа, легированных теллуром и облученных потоком электронов E=3 MeV. Показано, что существуют две полосы поглощения в инфракрасной области: 1.0 и 0.80 eV.