Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2002, выпуск 3 » Статья стр. 21
<<<>>>
Особенности электродиффузионно-пластической деформации кремния
Алиев М.А.1, Алиева Х.О.1, Селезнев В.В.1, Алиев Б.Г.1, Муталибов Ш.Р.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Email: Kamilov@datacom.ru
Поступила в редакцию: 22 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.
PDF версия
Исследовано влияние изменения электронной подсистемы полупроводникового кристалла кремния, а именно воздействия электропереноса примесных атомов на особенности протекания явления электропластической деформации. Этот новый способ воздействия на движение дислокаций выявил значительное понижение предела текучести, существенное увеличение общей величины пластичности по сравнению с традиционными способами деформации. Предложены возможные механизмы объяснения наблюдаемых эффектов.
  1. Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах: От диссипативных структур к упорядочению через флуктуации. М.: Мир, 1979. 512 с
  2. Иванова В.С., Баланкин А.С., Бунин И.Ж. Синергетика и фракталы в материаловедении. М.: Наука, 1994. 383 с
  3. Трефилов В.И., Мильман Ю.В., Гриднева И.В. // Неорганические материалы. 1984. Т. 20. N 6. С. 958--966
  4. Корнюшин Ю.В. Явления переноса в реальных кристаллах во внешних полях. Киев: Наук. думка, 1986. 126 с
  5. Макушок Г.М. Самоорганизация деформационных процессов. Минск: Наука и техника, 1991. 272 с
  6. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поут. Пер. с англ. М.: Мир, 1982. 575 с
  7. Алиев М.А., Селезнев В.В. Электропластический способ деформации полупроводниковых кристаллов. Препринт ИФ ДНЦ РАН. Махачкала, 1989. 6 с
  8. Алиев М.А., Алиев Х.О., Селезнев В.В. // ФТТ. 1999. Т. 41. В. 6. С. 1028--1029
  9. Малыгин Г.А. // УФН. 1999. Т. 69. В. 9. С. 979--1008
  10. Wohler F.D., Alexander H., Sander W. // J. Phys. Chem. Sol. 1970. V. 31. P. 1381--1383
  11. Конторова Г.А. // ФТТ. 1967. Т. 9. В. 4. С. 1235--1241
  12. Вдовин Е.Е., Касумов А.Ю. // ФТТ. 1988. Т. 30. В. 1. С. 311--314
  13. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. 382 с
  14. Олемский А.И., Скляр И.А. // УФН. 1992. N 162. С. 29--79

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme