Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование квантовых точек InAs на вицинальной поверхности кристалла GaAs методом атомно-силовой микроскопии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 2 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.
Предложена методика обработки изображений, полученных путем атомно-силовой микроскопии. На конкретном примере показано, как определяются параметры кластеров InAs на вицинальной поверхности кристалла GaAs. При использовании развитой ранее сферической модели кластера это дает возможность рассчитать энергетические уровни электронов и дырок в квантовой точке.
- Kudryashov I.V., Evtikhiev V.P., Tokranov V.E., Kotel'nikov E.Yu., Kryganovskii A.K., Titkov A.N. et al. // J. Cryst. Growth. 1999. V. 201/202. P. 1158--1160
- Evtikhiev V.P., Tokranov V.E., Kryganovskii A.K., Boiko A.M., Suris R.A., Titkov A.N. // Journal of Crystal Growth. 1999. V. 201/202. P. 1154--1157.
- Moison J.M., Houzay F., Barthe F., Leprince L., Andre E., Vatel O. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64 (2). P. 196--198
- Evtikhiev V.P., Konstantinov O.V., Matveentsev A.V. // Tech. Phys. Lett. 2001. V. 27. N 3. P. 248--250
- Asryan L.V., Suris R.A. // Semicond. Sci. Technol. 1996. V. 11. P. 554--567
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
