Релаксация внутренних механических напряжений в арсенидгаллиевых приборных структурах, стимулированная микроволновой обработкой
Болтовец Н.С.1, Камалов А.Б.1, Колядина Е.Ю.1, Конакова Р.В.1, Литвин П.М.1, Литвин О.С.1, Матвеева Л.А.1, Миленин В.В.1, Ренгевич А.Е.1
1Государственный научно-исследовательский институт "Орион", Киев Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
Email: plyt@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 2 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.
Исследовано влияние сверхвысокочастотного (СВЧ) излучения частотой 2.45 GHz, удельной мощностью 1.5 W/cm2 на релаксацию внутренних механических напряжений в n-n+-структурах GaAs, Au-Ti-n-n+-GaAs-структурах с барьером Шоттки и полевых транзисторах с затвором Шоттки (ПТШ) на основе GaAs. Показано, что воздействие микроволнового излучения в течение нескольких секунд приводит к релаксации внутренних механических напряжений, сопровождающейся улучшением структурного совершенства приповерхностных слоев полупроводника, что в приборных структурах обоих типов (диодных и ПТШ) обусловливает улучшение параметров: увеличение высоты барьера Шоттки, уменьшение фактора идеальности и обратного тока в диодных структурах и увеличение крутизны и начального тока стока в ПТШ.
- Абдурахимов Д.Е., Вахидов Ф.Ш., Верещагин В.Л. и др. // Микроэлектроника. 1991. Т. 20. В. 1. С. 21--25
- Абдурахимов Д.Е., Верещагин В.Л., Калинушкин В.П. и др. // Краткие сообщения по физике. 1991. N 6. С. 27--29
- Пашков В.И., Перевощиков В.А., Скупов В.Д. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 8. С. 14--18
- Миленин В.В., Конакова Р.В., Статов В.А. и др. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 4. С. 32--34
- Блудов С.Б., Гадецкий Н.П., Кравцов К.А. и др. // Физика плазмы. 1994. Т. 20. N 7--8. С. 712--715
- Беляев А.А., Беляев А.Е., Ермолович И.Б. и др. ЖТФ. // 1998. Т. 68. N 12. С. 49--54
- Чумаков В.И. // Радиотехника. 1998. В. 106. С. 120--123
- Briantseva T.A., Lebedeva Z.M., Markov I.A. et al. // Appl. Surf. Sci. 1999. V. 272. P. 288--290
- Zohm H., Kasper E., Mehringer P., Muller G.A. // Microelectronic Engineering. 2000. V. 54. P. 247--253
- Кадуков А.Е., Разумов А.В. // Петербургский журнал электроники. 2000. N 2. С. 53--60
- Структурная релаксация в полупроводниковых кристаллах и приборных структурах / Под ред. проф. Ю.А. Тхорика. Киев: Феникс, 1994. 247 с
- Венгер Е.Ф., Конакова Р.В., Миленин В.В. и др. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. 1999. В. 3 (75). С. 60--73
- Борковская О.Ю., Груша С.А., Дмитрук Н.Л. и др. // ЖТФ. 1985. Т. 55. N 10. С. 1977--1982
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук