Исследования порога абляции пленок оксида In₂O₃ проводились с целью изучения возможности дальнейшего применения этого материала в качестве фоторезиста для литографии с использованием вакуумного ультрафиолетового излучения (ВУФ). Пленки In₂O₃ толщиной порядка 30 nm, полученные путем электрон-катодного распыления индия на кварцевые подложки в разреженной кислородосодержащей атмосфере, подвергались воздействию импульсов ArF эксимерного лазера (длина волны излучения lambda=193 nm, длительность импульса tau=20 ns) различной интенсивности E_p. Установлено, что при интенсивности импульса, меньшей чем 30 mJ/cm², скорость травления исчезающе мала. При увеличении интенсивности травление становится более эффективным, что связано с появлением термической составляющей абляции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.