Расчет затухания в щелевой и копланарной линиях, образованных в структуре "сегнетоэлектрическая пленка--диэлектрическая подложка"
Мироненко И.Г.1, Иванов А.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: mit@eltech.ru
Поступила в редакцию: 25 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.
Приведены результаты расчета затухания, обусловленного конечной проводимостью металлических электродов и потерями в сегнетоэлектрической пленке в щелевой и копланарной линиях на основе структуры "сегнетоэлектрическая пленка-диэлектрическая подложка".
- Мироненко И.Г., Иванов А.А. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 13. С. 16--21
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.