Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Водородочувствительная структура на полуизолирующем арсениде галлия
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: fdp@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 16 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
Исследованы сенсорные характеристики простой, чувствительной к водороду структуры на основе полуизолирующего GaAs с планарными Pd электродами, расположенными на окисленной поверхности. Показано, что такие структуры обладают высоким быстродействием. Чувствительность структур к водороду может быть увеличена нанесением на полуизолятор эпитаксиального слоя GaAs с встроенными напряженными квантово-размерными слоями InGaAs и InAs.
- Евдокимов А.В., Мушурудли М.Н., Ржанов А.Е. и др. // Зарубежная электронная техника. 1988. В. 2 (321). С. 3--39
- Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А. и др. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 4. С. 385--410
- Карпович И.А., Аншон А.В., Филатов Д.О. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 9. С. 1089--1095
- Звонков Б.Н., Карпович И.А., Байдусь Н.В. и др. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 1. С. 92--97
- Тихов С.В., Лесников В.П., Подольский В.В. и др. // ЖТФ. 1995. Т. 65. В. 11. С. 120--125
- Зуев В.А., Саченко А.В., Толпыго И.Б. // Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и в полупроводниковых приборах. М.: Сов. радио, 1977. 256 с
- Гаман В.И., Дученко М.О., Калыгина В.М. // Известия вузов. Физика. 1998. В. 1. С. 69--83
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
