Рекомбинационно-стимулированный рост дислокационной петли в полупроводнике при интенсивной лазерной накачке электрон-дырочных пар
Емельянов В.И.1, Рогачева А.В.1
1Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет и Международный учебно-научный лазерный центр, Москва, Россия
Email: emel@em.msk.ru
Поступила в редакцию: 19 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
Предложен механизм рекомбинационно-стимулированного роста спаренного междоузельно-вакансионного диска в полупроводнике, в котором происходят интенсивная генерация и локализация электрон-дырочных пар. Получено выражение для скорости роста дислокационной петли как функции интенсивности лазерного излучения и температуры среды.
- Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах. М., 1962. 584 с
- Sumi H. // Phys. Rev. 1984. B 29. P. 4616--4630
- Kimerling L.C. // Solid State Electron. 1978. V. 21. P. 1391--1401
- Emel'yanov V.I., Kashkarov P.K. // Appl. Phys. 1992. A 55. P. 161--166
- Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М., 1974. 463 с
- Емельянов В.И., Рогачева А.В. // Квантовая электроника. 1998. Т. 25. N 11. С. 1017--1022
- Emel'yanov V.I., Rogacheva A.V. // Phys. Lett. A. 2000. V. 264. P. 478--481
- Kudriavtsev E.M., Emel'yanov V.I., Rogacheva A.V. et al. // Laser Physics. 2000. V. 10. N 3. P. 1-8
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
