Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рекомбинационно-стимулированный рост дислокационной петли в полупроводнике при интенсивной лазерной накачке электрон-дырочных пар
1Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет и Международный учебно-научный лазерный центр, Москва, Россия 
Email: emel@em.msk.ru
Поступила в редакцию: 19 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
Предложен механизм рекомбинационно-стимулированного роста спаренного междоузельно-вакансионного диска в полупроводнике, в котором происходят интенсивная генерация и локализация электрон-дырочных пар. Получено выражение для скорости роста дислокационной петли как функции интенсивности лазерного излучения и температуры среды.
- Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах. М., 1962. 584 с
- Sumi H. // Phys. Rev. 1984. B 29. P. 4616--4630
- Kimerling L.C. // Solid State Electron. 1978. V. 21. P. 1391--1401
- Emel'yanov V.I., Kashkarov P.K. // Appl. Phys. 1992. A 55. P. 161--166
- Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М., 1974. 463 с
- Емельянов В.И., Рогачева А.В. // Квантовая электроника. 1998. Т. 25. N 11. С. 1017--1022
- Emel'yanov V.I., Rogacheva A.V. // Phys. Lett. A. 2000. V. 264. P. 478--481
- Kudriavtsev E.M., Emel'yanov V.I., Rogacheva A.V. et al. // Laser Physics. 2000. V. 10. N 3. P. 1-8
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
