Вышедшие номера
Электрические характеристики гетеропереходов (p) 3C--SiC--(n) 6H--SiC
Лебедев А.А.1, Стрельчук А.М.1, Давыдов Д.В.1, Савкина Н.С.1, Кузнецов А.Н.1, Сорокин Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Проведено исследование характеристик гетероструктуры системы (p) 3C-SiC /(n) 6H-SiC, выращенной методом сублимационной эпитаксии. Определены разрывы зон и построена энергетическая диаграмма гетероперехода. Показано, что данная гетероструктура является перспективной для получения на ее основе транзисторов с двухмерным электронным газом (HEMT).