Воздействие импульсных магнитных полей на реальную структуру кристаллов арсенида индия
Левин М.Н.1, Семенова Г.В.1, Сушкова Т.П.1, Долгополова Э.А.1, Постников В.В.1
1Воронежский государственный университет
Email: levin@lev.vsu.ru
Поступила в редакцию: 6 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.
На примере кристалла InAs показана возможность использования воздействий импульсных магнитных полей для повышения фазовой однородности и структурного совершенства бинарных фаз полупроводниковых соединений AIIIBV.
- Дистлер Г.И., Каневский В.М., Москвин В.В., Постников С.Н., Рябинин Л.А., Сидоров В.П., Шнырев В.Г. // Докл. АН СССР. 1983. Т. 268. С. 591--593
- Давыдов В.Н., Лоскутова В.А., Найден Е.П. // ФТП. 1989. Т. 23. N 9. С. 1596--1600
- Левин М.Н., Зон Б.А. // ЖЭТФ. 1997. Т. 111. N 4. С. 1373--1397
- Зельдович Я.Б., Бучаченко А.Л., Франкевич Е.Л. // УФН. 1988. Т. 155. N 1. С. 3--45
- Molotskii M.I. // Material Science and Engineering A. 2000. V. 287. P. 248--258
- Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Дмитриевский А.А. // ЖЭТФ. 2000. Т. 117. N 6. С. 1080--1093
- Булярский С.В., Фистуль В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1997. 352 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук