Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Получение эпитаксиальных слоев твердого раствора (Sn2)1-x(InSb)x из жидкой фазы
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 14 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.
Эпитаксиальные слои твердых растворов (Sn2)1-x(InSb)x были выращены из индиевого раствора-расплава, ограниченного горизонтально расположенными подложками GaAs при температурном интервале 325-200oC. Изучением растровых картин и дифракционных спектров гетероструктур GaAs-(Sn2)1-x(InSb)x показано, что кристаллическое совершенство указанных структур зависит от подбора условий жидкофазной эпитаксии.
- Алферов Ж.И., Жингарев М.З., Конников С.Г. и др. // ФТП. 1982. Т. 16. N 5. С. 831
- Саидов М.С., Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш. // Докл. РАН. 1998. Т. 359. N 2. С. 188--189
- Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. T. II. М.: Металлургиздат, 1962. С. 910--915
- Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. В. 2. С. 12--16
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
