Динамика отжига ионно-аморфизированного кремния наноимпульсным воздействием ультрафиолетового излучения эксимерного лазера
Ивлев Г.Д.1, Гацкевич Е.И.1
1Институт электроники НАНБ, Минск
Email: ivlev@inel.bas-net.by
Поступила в редакцию: 25 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.
Методом оптического зондирования in situ на lambda=633 nm с детектированием отраженного от образца зондирующего пучка изучались фазовые превращения, происходящие в ионно-аморфизированном кремнии под действием наносекундных импульсов УФ-излучения ArF эксимерного лазера. Установлено, что эпитаксиальная кристаллизация расплавленного слоя кремния происходит при плотностях энергии облучения W>0.8 J/cm2. При значениях 0.2<W<0.7 J/cm2 наблюдается аморфизация Si на стадии отвердевания, причем начальное и конечное состояния аморфной фазы неадекватны. Аморфизация кремния из расплава сопровождается зарождением удаленных друг от друга кристаллических центров. Их присутствие изменяет кинетику фазовых превращений при повторном воздействии лазерного излучения, приводит к формированию поликристаллической структуры и обусловливает возможность промежуточной кристаллизации Si в последовательности лазерно-индуцированных фазовых превращений.
- Kim C.D., Ishihara R., Matsumura M. // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. P. 5971--5976
- Staudt W., Borneis S., Pippert K.-D. // Phys. Stat. Sol. (a). 1998. V. 166. N 2. P. 743--749
- Ivlev G., Gatskevich E., Chab V., Stuchlik J., Vorliv cek V., Kov cka J. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. P. 498--500
- Sinke W.C., Polman A., Stolk P.A. Physical research. EPM-89. Energy Pulse and Particle Beam Modification of Materials / Ed. by K. Hohmuth, E. Richter. Berlin: Akademie-Verlag, 1990. V. 13. P. 94--99
- Авакянц Л.П., Ивлев Г.Д., Образцова Е.Д. // ФТТ. 1992. V. 34. P. 3334--3338
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук