Вышедшие номера
Динамика отжига ионно-аморфизированного кремния наноимпульсным воздействием ультрафиолетового излучения эксимерного лазера
Ивлев Г.Д.1, Гацкевич Е.И.1
1Институт электроники НАНБ, Минск
Email: ivlev@inel.bas-net.by
Поступила в редакцию: 25 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Методом оптического зондирования in situ на lambda=633 nm с детектированием отраженного от образца зондирующего пучка изучались фазовые превращения, происходящие в ионно-аморфизированном кремнии под действием наносекундных импульсов УФ-излучения ArF эксимерного лазера. Установлено, что эпитаксиальная кристаллизация расплавленного слоя кремния происходит при плотностях энергии облучения W>0.8 J/cm2. При значениях 0.2<W<0.7 J/cm2 наблюдается аморфизация Si на стадии отвердевания, причем начальное и конечное состояния аморфной фазы неадекватны. Аморфизация кремния из расплава сопровождается зарождением удаленных друг от друга кристаллических центров. Их присутствие изменяет кинетику фазовых превращений при повторном воздействии лазерного излучения, приводит к формированию поликристаллической структуры и обусловливает возможность промежуточной кристаллизации Si в последовательности лазерно-индуцированных фазовых превращений.