Определение параметров активаторов в люминофорах тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов
Самохвалов М.К.1, Давыдов Р.Р.1
1Ульяновский государственный технический университет
Email: sam@ulstu.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.
Проведен анализ метода определения концентрации и сечения прямого ударного возбуждения активаторных центров в слое люминофора тонкопленочного электролюминесцентного конденсатора с помощью измерений вольт-яркостных характеристик и зависимостей яркости от частоты переменного напряжения. Обсуждается методическая погрешность определения параметров при возбуждении электролюминесценции симметричным знакопеременным пилообразным напряжением. Определены значения параметров для люминесцентных пленок ZnS : Mn, ZnS : TbF3 и ZnS : SmF3.
- Георгобиани А.Н., Пипинис П.А. Туннельные явления в люминесценции полупроводников. М.: Мир, 1994. 224 с
- Самохвалов М.К. // ЖТФ. 1996. Т. 66. В. 10. С. 139--144
- Самохвалов М.К., Давыдов Р.Р., Хадиуллин Э.И. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 8. С. 74--80
- Самохвалов М.К. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 6. С. 67--71
- Бригаднов И.Ю., Самохвалов М.К. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 1998. N 3. С. 64--68
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук