Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2014, выпуск 14 » Статья стр. 36
<<<>>>
Новый подход к диагностике наноостровков в гетероструктурах GexSi1-x/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии
Дроздов М.Н.1,2,3, Дроздов Ю.Н.1,2,3, Захаров Н.Д.1,2,3, Лобанов Д.Н.1,2,3, Новиков А.В.1,2,3, Юнин П.А.1,2,3, Юрасов Д.В.1,2,3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Max--Planck--Institut fur Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, Halle/Saale, Germany
Поступила в редакцию: 5 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.
PDF версия
Обсуждается новый подход к диагностике гетероструктур GexSi1-x / Si с самоформирующимися наноостровками методом вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) с использование кластерных вторичных ионов Ge2. Полученные калибровочные зависимости элементарных Ge и кластерных Ge2 вторичных ионов от концентрации германия x в однородных слоях GexSi1-x для установки ВИМС TOF.SIMS-5. Установлено, что в отличие от известной линейной зависимости 74Ge/30Si propto x/(1-x) для кластерных вторичных ионов Ge2 наблюдается квадратичная зависимость Ge2/30Si propto (x/(1-x))2. Показано, что использование нелинейных калибровочных зависимостей на основе Ge2 позволяет расширить информацию о многослойных гетероструктурах GexSi1-x/Si с наноостровками при послойном анализе методом ВИМС. Без дополнительной априорной информации о структуре становится возможным различить планарные слои и слои GeSi с трехмерными островками, оценить высоту островков, наличие смачивающего слоя и проследить эволюцию формирования островков в многослойной структуре.
  1. Gao Y. // J. Appl. Phys. 1988. V. 67. P. 3760
  2. Gautier B., Dupuy J.C., Dubois C., Bonneau M., Delmas J., Vallard J.P., Bremond G., Brenier R. // Thin Solid Films. 1997. V. 294. P. 54
  3. Gavelle M., Scheid E., Cristiano F., Armand С., Hartmann J.-M., Campidelli Y., Halimaoui A., Fazzini P.-F., Marcelot O. // J. Appl. Phys. 2007. V. 102. P. 074 904
  4. Дроздов М.Н., Дрозов Ю.Н., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Юрасов Д.В. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2011. N 6. С. 93
  5. Sanchez-Almazan F., Napolitani E., Carnera A., Drigo A.V., Izella G., von Kanel H., Berti M. // Appl. Surface Science. 2004. V. 231--232. P. 704
  6. Junel M., Laugier F. // Appl. Surface Science. 2004. V. 231--232. P. 698
  7. Saha B., Chakraborty P. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B. 2007. V. 258. P. 218
  8. Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Юрасов Д.В. // ФТП. 2010. Т. 44. С. 418
  9. Юнин П.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Юрасов Д.В. // ФТП. 2012. Т. 46. С. 1515
  10. De Seta M., Capellini G., Evangelisti F., Ferrari C., Lazzarini L., Salviati G., Peng R.W., Jiang S.S. // J. Appl. Phys. 2007. V. 102. P. 043 518
  11. Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Пахомов Г.Л., Травкин В.В., Юнин П.А. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 24. С. 45

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme