Взрывная кристаллизация, возникающая в процессе формирования наноразмерной пленочной структуры Se/Ag
Когай В.Я.1
1Институт механики УрО РАН, Ижевск
Email: vkogai@udman.ru
Поступила в редакцию: 21 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.
Представлены результаты экспериментальных исследований взрывной кристаллизации, возникающей в процессе формирования наноразмерной пленочной структуры Se/Ag. Показано, что взрывная кристаллизация возникает в широком интервале толщин пленок Se 70-280 nm и протекает в узком временном интервале 2.00-4.52 s. Кооперативное действие тепловой энергии фазового превращения Ag2Se и энергии упругих напряжений аморфной пленки Se приводит к развитию взрывной кристаллизации. Установлено, что в зависимости от соотношения толщин пленок Se и Ag в продуктах реакции после взрывной кристаллизации образуются орторомбический Ag2Se с параметрами кристаллической решетки a=4.333 Angstrem, b=7.062 Angstrem, c=7.764 Angstrem и гексагональный Se (a=4.3552 Angstrem, c=4.9495 Angstrem).
- Шкловский В.А., Кузьменко В.М. // УФН. 1989. Т. 157. С. 311--338
- Olemskoi A.I., Khomenko A.V., Koverda V.P. // Physica. A. 2000. V. 284. P. 79--96
- Жарков С.М., Квеглис Л.И. // ФТТ. 2004. Т. 46. В. 5. С. 938--944
- Квеглис Л.И., Середкин В.А., Кузовников А.В. // Письма в ЖЭТФ. 2005. Т. 82. В. 1. С. 23--26
- Albenze E.J., Thompson M.O., Clancy P. // Ind. Eng. Chem. Res. 2006. V. 45. P. 5628--5639
- Ohdaira K., Matsumura H. // Thin Solid Films. 2012. V. 524. P. 161--165
- Krishnaswamy S.V., Messier R., Swab P., Tongson L.L., Vedam K. // Electronic Materials. 1981. V. 10. P. 433--443
- Grigoropoulos C.P., Rogers M., Ko S.H., Golovin A., Matkowsky B. // Physical Review. B. 2006. V. 73. P. 184 125
- Murakami K., Ery O., Takita K., Masuda K. // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 59. P. 2203--2206
- Das V.D., Lakshmi P.J. // Physical Review. B. 1988. V. 37. P. 720--726
- Ohdaira K., Tomura N., Ishii S., Matsumura H. // Electrochemical and Solid State Letters. 2011. V. 14. P. H372--H374
- Палатник Л.С., Косевич В.М. // Кристаллография. 1958. N 3. С. 709
- Matsuda A., Mineo A., Kurosi T., Kikuchi M. // Sol. State Commun. 1973. V. 13. P. 1165
- Suits J.C. // Phys. Rev. 1963. V. 131. P. 588
- Когай В.Я., Вахрушев А.В., Федотов А.Ю. // Письма в ЖЭТФ. 2012. Т. 95. В. 9. С. 514--517
- Когай В.Я., Вахрушев А.В. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 23. С. 34--38
- Коверда В.П., Скрипов В.П., Богданов Н.М. // Докл. АН СССР. 1973. Т. 212. В. 6. С. 1375--1378
- Шкловский В.А. // ЖЭТФ. 1982. Т. 82. В. 2. С. 536--547
- Александров Л.Н. // Письма в ЖЭТФ. 1982. Т. 8. В. 6. С. 368--371
- Кристаллографическая и кристаллохимическая база данных для минералов и их структурных аналогов. http://database.iem.ac.ru/mincryst/rus/index.php
- Кукушкин С.А., Тентилова И.Ю., Пронин И.П. // ФТТ. 2012. Т. 54. В. 3. С. 571--575
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук