Рассмотрен новый физический механизм возникновения аномального термоэдс в n-Ge, который имеет знак, обратный знаку термоэдс Зеебека. Показано, что аномальный термоэлектрический эффект связан с перераспределением носителей заряда в энергетических экстремумах зон при термоупругой деформации кристалла.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.