Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Термоэлектрический эффект в n-Ge, обусловленный термоупругодеформационным механизмом
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия 
Email: akhmed-musaev@yandex.ru
Поступила в редакцию: 5 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.
Рассмотрен новый физический механизм возникновения аномального термоэдс в n-Ge, который имеет знак, обратный знаку термоэдс Зеебека. Показано, что аномальный термоэлектрический эффект связан с перераспределением носителей заряда в энергетических экстремумах зон при термоупругой деформации кристалла.
- Анатычук Л.И., Булат Л.П. // Полупроводники в экстремальных температурных условиях. СПб.: Наука, 2001. 224 с
- Тауц Я. // Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. М.: ИЛ, 1962. 415 c
- Анатычук Л.И., Выграненко Ю.В., Лусте О.Я., Пинчук И.И. // ФТП. 1972. Т. 6. В. 5. С. 981--983
- Анатычук Л.И., Булат Л.П., Комолов Е.Н. // ФТП. 1982. Т. 16. В. 9. С. 1711--1713
- Анатычук Л.И., Булат Л.П., Комолов Е.Н., Ладыга Р.Б. // ФТП. 1984. Т. 18. В. 2. С. 342--345
- Самойлович А.Г., Буда И.С. // ФТП. 1969. Т. 3. В. 3. С. 400--408
- Баранский П.И., Савяк В.В., Щербина Л.А. // ФТП. 1979. Т. 13. В. 6. С. 1219--1221
- Баранский П.И., Буда И.С., Савяк В.В., Щербина Л.А. // ФТП. 1979. Т. 13. В. 11. С. 2262--2264
- Коваленко А.Д. Термоупругость. Киев: Вища школа, 1975. 216 c
- Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1979. 168 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
