Пространственные осцилляции электрического поля и плотности заряда в кремниевом p-i-n-диоде
Усанов Д.А.1, Горбатов С.С.1, Кваско В.Ю.1, Фадеев А.В.1, Калямин А.А.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: Fadey24@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.
Проведены численный расчет распределения электрического поля и плотности заряда в p-i-n-диоде при прямом смещении, а также экспериментальные исследования этих характеристик с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа. Показана принципиальная важность учета зависимости коэффициента диффузии носителей заряда от электрического поля при описании процессов, протекающих в p-i-n-диодах. Численные результаты качественно согласуются с экспериментом.
- Anlage S.M., Steinhauer D.E., Feenstra B.J., Vlahacos C.P., Wellstood F.C. Near-Field Microwave Microscopy of Materials Properties, in Microwave Superconductivity. Amsterdam: Kluwer, 2001
- Усанов Д.А. Ближнеполевая сканирующая СВЧ-микроскопия и области ее применения. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2010
- Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю // Изв. вузов. Прикладная нелинейная динамика. 2013. Т 21. N 5. С. 51--59
- Адирович Э.И. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М.: Сов. радио, 1978
- Баранов Л.И., Гаманюк В.Б., Усанов Д.А. // Радиотехника и электроника. 1972. N 11. С. 2409--2413
- Mayer J.W., Marsh O., Baron R. // J. Appl. Phys. 1968. V. 39. N 3. P. 1447--1455
- Баранов Л.И., Вагарин А.Ю., Гаманюк В.Б., Усанов Д.А. // Проблемы диэлектрической электроники. Ташкент, 1974. С. 499
- Грибников З.С. // ФТП. 1975. Т. 9. В. 9. С. 1710--1716
- Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. // Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2010. В. 6. С. 66--69
- Трубецков Д.И., Мчедлова Е.С., Красичков Л.В. Введение в теорию самоорганизации открытых систем. М.: Физматлит, 2002
- Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях / Пер. с англ. А.Ф. Волкова и А.Я. Шульмана. М.: Мир. 1970
- Электроны в полупроводниках. Вып. 3. Диффузия горячих электронов. Вильнюс: Мокслас, 1981
- Роуз А. Основы теории фотопроводимости / Пер. с англ. А.А. Рогачева и Р.Ю. Хансеварова. М.: Мир, 1966.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.