Вышедшие номера
Структура и фотопроводимость эпитаксиальных слоев SiGe/Si, модифицированных моноимпульсным лазерным облучением
Ивлев Г.Д.1, Казючиц Н.М.1, Прокопьев С.Л.1, Русецкий М.С.1, Гайдук П.И.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: ivlev-1947@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Методами электронной микроскопии исследовано воздействие наносекундных импульсов излучения рубинового лазера на структурное состояние и морфологию эпитаксиальных слоев твердого раствора SiO0.5Ge0.5 на кремнии с инициированием фазового перехода кристалл-расплав. Получены данные о фотоэлектрических параметрах лазерно-модифицированных слоев, обладающих ячеистой структурой вследствие сегрегации германия на стадии отвердевания бинарного расплава.