Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении
Гацкевич Е.И., Ивлев Г.Д., Малевич В.Л.
Поступила в редакцию: 1 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.
Проведено численное моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации твердого раствора SiGe на кремниевой подложке, происходящих под действием наносекундного лазерного излучения, и проанализирован механизм формирования ячеистых структур из-за сегрегационного разделения элементов на стадии отвердевания бинарного расплава. Результаты вычислений сопоставлены с известными экспериментальными данными, характеризующими продолжительность лазерно-индуцированных фазовых превращений и средний размер ячеек (образующихся вследствие эффекта концентрационного переохлаждения) в зависимости от плотности энергии в лазерном импульсе.
- Paul D.J. // Semicond. Sci. Technol. 2004. V. 19. P. R76--108
- Tiller W.A., Jackson K.A., Rutter J.W., Chalmers B. // Acta metallurgica. 1953. V. 1. N 4. P. 428--437
- Smirnova O.V., Kalaev V.V., Makarov Y. N., Abrosimov N.V., Riemann H. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 266. P. 74--80
- Yonenaga I., Taishi T., Ohno Y., Tokumoto Y. // J. Cryst. Growth. 2010. V. 312. P. 1065--1068
- Yang X., Fujiwara K., Abrosimov N.V., Gotoh R., Nozawa J., Koizumi H., Kwasniewski A., Uda S. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 141 601
- Sobolev N.A., Ivlev G. D., Gatskevich E.I., Leitao J.P., Fonseca N., Carmo M.C., Lopes A.B., Sharaev D.N., Kibbel H., Presting H. // Mater. Sci. Eng. C. 2003. V. 23. P. 19--22
- Weizman M., Nickel N.H., Sieber I., Yan B. // J. Appl. Phys. 2008. V. 103. P. 093 536
- Gaiduk P.I., Prakopyeu S.L. // Subsecond Annealing of Advanced Materials, Springer Series in Material Science / Ed. by W. Scorupa and H. Schmidt. Springer, 2014. V. 192. P. 79--105
- Пилипович В.А., Малевич В.Л., Ивлев Г.Д., Жидков В.В. // Инжен.-физич. журнал. 1985. Т. 48. В. 2. C. 306--311
- http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/SiGe
- Brunco D. P., Thompson M.O., Hoglund D.E., Aziz M.J., Gossmann H.-J. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. P. 1575--1582
- Mullins W.W., Sekerka R.F. // J. Appl. Phys. 1964. V. 35. P. 444--451
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук