Вышедшие номера
Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении
Гацкевич Е.И., Ивлев Г.Д., Малевич В.Л.
Поступила в редакцию: 1 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Проведено численное моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации твердого раствора SiGe на кремниевой подложке, происходящих под действием наносекундного лазерного излучения, и проанализирован механизм формирования ячеистых структур из-за сегрегационного разделения элементов на стадии отвердевания бинарного расплава. Результаты вычислений сопоставлены с известными экспериментальными данными, характеризующими продолжительность лазерно-индуцированных фазовых превращений и средний размер ячеек (образующихся вследствие эффекта концентрационного переохлаждения) в зависимости от плотности энергии в лазерном импульсе.