Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-дюймовых подложках Si
Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин А.Н., Юнин П.А.
Поступила в редакцию: 8 августа 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.
Определены условия получения методом химического газофазного осаждения с горячей проволокой тонких, однородных, зеркально-гладких слоев Ge на 2-дюймовых подложках Si. Cлои Ge толщиной 200 nm имеют структуру эпитаксиального мозаичного монокристалла при практически полной релаксации упругих напряжений. Значение полуширины рентгенодифракционной кривой качания составляет менее 6'. Плотность прорастающих дислокаций в слоях Ge находится в пределах (3-6)· 105 cm-2, а величина среднеквадратичной поверхностной шероховатости не превышает 0.8 nm.
- Kvam E.P., Maher D.M., Humphreys C.J.J. // Mater. Res. 1990. V. 5. P. 1900
- Luan H.-C., Lim D.R., Lee K.K., Chen K.M., Sandland J.G., Wada K., Kimerilng L.C. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. P. 2909
- Michel J.Liu, Kimerling L.C. // Nat. Photonics. 2010. V. 4. P. 527
- Currie M.T., Samavedam S.B., Langdo T.A., Leitz C.W., Fitzgerald E.A. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 1718
- Samavedam S.B., Currie M.T., Langdo T.A., Fitzgerald E.A. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 2125
- Nakamura Y., Murayama A., Ichikawa M. // Cryst. Growth Des. 2011. V. 11. P. 3301
- Shklyaev A., Romanyuk K., Latyshev A. // J. Surface Engineered Materials and Advanced Technology. 2013. V. 3. P. 195
- Светлов С.П., Шенгуров В.Г., Толомасов В.А., Горшенин Г.Н., Чалков В.Ю. // Приборы и техника эксперимента. 2001. N 5. С. 137
- Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Юрасов Д.В. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 3. С. 418
- Sorianello V., Colace L. et al. // Optical Material Express. 2011. V. 1. P. 856
- Bolkhovityanov Yu.B. et al. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 297. P. 57
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук