Вышедшие номера
Рост с высокими скоростями пленок InN на подложках фианита и сапфира методом металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота
Бузынин Ю.Н., Водопьянов А.В., Голубев С.В., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Лукьянов А.Ю., Мансфельд Д.А., Хрыкин О.И., Шашкин В.И., Юнин П.А.
Поступила в редакцию: 26 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

Методом металлоорганической газофазной эпитаксии с активацией азота в плазме, поддерживаемой излучением гиротрона, получены монокристаллические пленки InN гексагональной модификации на подложках сапфира, фианита и темплейтах GaN/Al2O3 (0001). Достигнута рекордная скорость роста пленок 10 mum · h-1. Показано, что применение подложек фианита по сравнению с подложками сапфира и темплейтами позволяет существенно улучшить структурное совершенство и фотолюминесцентные свойства пленок InN. Нелегированные пленки InN обладают n-типом проводимости с концентрацией электронов n=(8.0· 1019-4.9· 1020) cm-3 при значениях их подвижности до 180 cm2/(V· s).