Вышедшие номера
Эффект дальнодействия в 6H-SiC при облучении ионами Хе
Калинина Е.В., Чучвага Н.А., Богданова Е.В., Скуратов В.А.
Поступила в редакцию: 9 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

Впервые представлены результаты исследования электрическими методиками "эффекта дальнодействия" в кристаллах 6H-SiC при облучении тяжелыми ионами Xe с энергией 167 МeV флюенсами 4· 109-7· 1011 cm-2. Исследовались структуры с барьерами Шоттки, сформированными на C-грани кристаллов. Облучение структур проводилось в одинаковых режимах со стороны барьеров и со стороны базы (грань Si). Впервые для SiC электрическими методиками был выявлен эффект глубокого проникновения радиационных дефектов на глубину, превышающую в несколько десятков раз пробег ионов Xe. Было выявлено, что в начале пробега ионов Xe образуются радиационные дефекты акцепторного типа, однако в конце пробега ионов Xe образуются радиационные дефекты донорного типа.