Предложен метод определения ориентации NV дефектной структуры в алмазе и наноалмазах на основе оптического детектирования магнитного резонанса (ОДМР) с применением модуляции магнитного поля и сканирования частоты СВЧ. После открытия уникальных излучающих свойств NV-дефектов в алмазе, позволяющих оптически регистрировать магнитный резонанс в основном состоянии NV-дефектов при комнатной температуре вплоть до регистрации магнитного резонанса на единичных дефектах [1,2], появилась возможность абсолютной миниатюризации элементной базы микро- и оптоэлектроники вплоть до устройства на основе единичного дефекта. Отдельный NV-дефект представляет собой вакансию углерода (V), в ближайшей координационной сфере которой один из четырех атомов углерода заменен атомом азота (N).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.