Процесс электроформовки и биполярное резистивное переключение в двойной оксидной структуре Si-SiO2-V2O5-Au
Путролайнен В.В.1, Величко А.А.1, Борисков П.П.1, Пергамент А.Л.1, Стефанович Г.Б.1, Кулдин Н.А.1
1Петрозаводский государственный университет
Email: vputr@psu.karelia.ru
Поступила в редакцию: 26 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.
Исследовано резистивное переключение с памятью двойной оксидной структуры Si-SiO2-V2O5-Au, полученной методом реактивного магнетронного напыления. Предложена физическая модель, объясняющая формирование переключательной структуры с образованием наноразмерного кремниевого канала в SiO2 и обратимой модуляцией проводимости тонкого оксидно-ванадиевого слоя вблизи границы канала. Проведена оценка радиуса кремниевого канала из результатов расчета на основе уравнения теплопроводности и АСМ-анализа.
- Grishin A.M., Velichko A.A., Jalalian A. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 103. P. 053 111
- Salaoru I., Prodromakis T., Khiat A., Toumazou C. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. P. 013 506
- Velichko А., Pergament A., Putrolaynen V., Berezina O., Stefanovich G. // Mat. Sci. Semicon. Proc. 2014. DOI: 10.1016/j. mssp.2014.05.042 http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S136980011400300X
- Chen C., Song C., Yang J., Zeng F., Pan F. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 253 509
- Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Михайлов А.Н. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 3. С. 12--19
- Rozenberg M.J., Sanchez M.J., Weht R., Acha C., Gomez-Marlasca F., Levy P. // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. P. 115 101
- Liu X., Kim I., Siddik M., Md S., Kuyyadi S., Biju P., Park S., Hwang H. // J. Korean Phys. Society. 2011. V. 59. P. 497
- Ария С.М., Семёнов И.Н. // Краткое пособие по химии переходных элементов. Л.: Изд. ЛГУ, 1972. 141 с
- Klein N. // Advances in Electronic and Electron Physics. 1969. V. 26. P. 309
- Ridley B.K. // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. P. 998
- Horng-Chin L., Da-Yuan L., Tiao-Yuan H. // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. V. 41. P. 5957
- Путролайнен В.В. Бистабильное электрическое переключение в структурах на основе оксидов ванадия: Дис. канд. физ.-мат. наук. Петрозаводск, 2009. 126 c
- Путролайнен В.В., Стефанович Г.Б., Величко А.А., Кулдин Н.А. // Вестник ВГТУ. 2009. Т. 5. N 11. С. 99--102
- Физико-химические свойства окислов. Справочник / Под ред. Г.В. Самсонова. М.: Металлургия, 1978. 472 с
- Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. М.: Мир, 1975. 396 с
- Способ получения энергонезависимого элемента памяти: Пат. 2468471 РФ. МПК H01L21/8239 / Путролайнен В.В.; заявитель и патентообладатель ПетрГУ. 2011113573; заявл. 07.04.2011; опубл. 27.11.2012
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук