Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2015, выпуск 16 » Статья стр. 52
<<<>>>
Легирование кремния эрбием методом имплантации атомов отдачи
Феклистов К.В.1, Абрамкин Д.С.1, Ободников В.И.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: kos@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.
PDF версия
С целью достижения сильного приповерхностного легирования кремния эрбием в работе апробирован метод имплантации атомов отдачи. В этом методе через тонкую пленку эрбия на поверхности проводилась имплантация ионами аргона с энергией 250 keV, в результате чего выбитые из пленки атомы отдачи эрбия внедрялись в кремний. Таким способом было проведено внедрение эрбия до концентрации 5·1020 cm-3 на глубину чуть более десяти нанометров. Для формирования стабильных и оптически активных комплексов ErOn дополнительно было выполнено внедрение атомов отдачи кислорода. В процессе последующей термообработки около половины дозы внедренного эрбия переходит в SiO2 на поверхности. Основная доля эрбия, оставшаяся в кремнии после термообработок, является оптически неактивной.
  1. Соболев Н.А. // ФТП. 1995. Т. 29. С. 1153. [ Sobolev N.A. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1995. V. 29. P. 1153.]
  2. Polman A. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. P. 1
  3. Kenyon A.J. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. P. R65
  4. Lockwood D.J. Light emission in silicon: from physics to devices. Academic Press, 1998. P. 126
  5. Eaglesham D.J., Michel J., Fitzgerald E.A., Jacobson D.C., Poate J.M., Benton J.L., Polman A., Xie Y.-H., Kimerling L.C. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. P. 2797
  6. Polman A., Custer J.S., Snoeks E., van den Hoven G.N. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 507
  7. Serna R., Lohmeier M., Zagwijn P.M., Vlieg E., Polman A. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 1385
  8. www.srim.org
  9. Назыров Д.Э., Куликов Г.С., Малкович Р.Ш. // ФТП. 1991. Т. 25. С. 1653. [ Nazirov D.E., Kulikov G.S., Malkovich R.S. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1991. V. 25. P. 1653.]
  10. National Bureau of Standards, Selected Values of Chemical Thermodynamic Properties. Part 7. Tech. Notes 270-7. P. 65
  11. Choi C.J., Jang M.G., Kim Y.Y., Jun M.S., Kim T.Y., Song M.H. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 012903; Choi C.J., Jang M.G., Kim Y.Y., Jun M.S., Kim T.Y., Song M.H. // Materials Transactions. 2010. V. 51. P. 793
  12. Hamelin N., Kik P.G., Suyver J.F., Kikoin K., Polman A., Schonecker A., Saris F.W. // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. P. 5381
  13. Priolo F., Franzo G., Coffa S., Carnera A. // Phys. Rev. B. 1998. V. 57. P. 4443
  14. Carnall W.T., Fields P.R., Rajnak K. // J. Chem. Phys. 1968. V. 49. P. 4424
  15. Gruber J.B., Henderson J.R., Muramoto M., Rajnak K., Conway J.G. // J. Chem. Phys. 1966. V. 45. P. 477

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme