Вышедшие номера
Рост объемных кристаллов AlN методом газофазной эпитаксии из атомарного Al и NH3
Погорельский М.Ю.1, Алексеев А.Н.1, Погорельский Ю.В.1, Шкурко А.П.1
1ЗАО Научное и технологическое оборудование, Санкт-Петербург
Email: michael179p@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Опробован новый подход к получению объемных монокристаллов AlN методом газофазной эпитаксии. В качестве ростовых реагентов применяются NH3 и пар Al. Допустимый в лабораторном оборудовании (экспериментальной ростовой установке) диапазон ростовых условий: температуры 1050-1500oC при расходах аммиака до 50 sccm и давлениях порядка 10-5-10-4bar, скорости роста до 200 mu m· h-1. При температуре 1450oC на MBE-темплейтах на основе подложек сапфира диаметром 2'' получены образцы напряженных объемных блочных кристаллов AlN в вюрцитной фазе в направлении [0001] толщиной до 200 mum.