Вышедшие номера
Синтез тонких пленок a-SiOx:H методом газоструйного химического осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой
Баранов Е.А.1, Замчий А.О.1,2, Хмель С.Я.1
1Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: itpbaranov@gmail.com
Поступила в редакцию: 21 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

Впервые синтезированы тонкие пленки a-SiOx:H методом газоструйного химического осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой. Скорость роста уменьшалась с 2 до 1.15 nm/s при увеличении температуры подложки от комнатной до 415oC, при этом концентрация водорода уменьшилась с 12.5 до 4.2%, а концентрация кислорода увеличилась с 14.5 до 20.8%. Уменьшение концентрации водорода связано с увеличением эффузии и температурной десорбции. Спектры комбинационного рассеяния света полученных пленок показали типичную аморфную структуру для связей Si-Si.