Электролюминесцентные слои на основе ZnS : Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al2O3
Валеев Р.Г.1, Петухов Д.И.1,2, Чукавин А.И.1, Бельтюков А.Н.1
1Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: rishatvaleev@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.
Предложено использование в качестве светоизлучающего слоя электролюминесцентных источников света нового нанокомпозитного материала: наноструктуры легированного медью сульфида цинка в матрице пористого оксида алюминия. Осаждение материала проведено методом вакуумно-термического напыления. Исследованы микроструктура слоев, распределение примеси в слое электролюминофора, спектры электролюминесценции при различных концентрациях меди в ZnS : Cu.
- http://www.surelight.com/files/EL\_Parallel\_Panel\_ Technical\_Data\_sheet.pdf
- Fang X., Zhai T., Gautam U.K., Li L., Wu L., Bando Y., Goldberg D. // Prog. Mater. Sci. 2009. V. 56. P. 175--287
- Валеев Р.Г., Бельтюков А.Н., Ветошкин В.М., Романов Э.А., Елисеев А.А. // ЖТФ. 2011. Т. 81. B. 6. С. 153--155
- Xu H.J., Li X.J. // Semicond. Sci. Technol. 2009. V. 24. P. 075008(6)
- Valeev R., Romanov E., Beltukov A., Mukhgalin V., Roslyakov I., Eliseev A. // Phys. Stat. Sol. C. 2012. V. 9. N 6. P. 1462--1465
- Jeong M.-C., Oh B.-Y., Ham M.-H., Myoung J.-M. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 202 105(3)
- Murugadoss G. // Particuology. 2013. V. 11. P. 566--573
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.