Предложена универсальная эллипсометрическая модель, описывающая оптические свойства пленок карбида кремния SiC, выращенных на кремнии Si методом замещения атомов за счет химической реакции подложки кремния с газом монооксида углерода. Данная модель является трехслойной моделью, в которой концентрация кремния уменьшается ступенчатым образом в направлении от подложки к поверхности пленки. Эллипсометрические спектры образцов SiC/Si(111), SiC/Si(100), SiC/Si(110), выращенных в одинаковых условиях, измерялись эллипсометром VUV-VASE/J.A. Woollam с вращающимся анализатором в диапазоне 1.35-9.25 eV. Обработка полученных результатов в рамках предложенной модели впервые дала политипный состав пленок SiC. Показано, что SiC на Si(111) является в основном кубическим, SiC на Si(110) является преимущественно гексагональным с примесью кубического политипа, SiC на Si(100) имеет смешанный политипный состав.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.