Лазаренко А.А.1, Никитина Е.В.1, Пирогов Е.В.1, Соболев М.С.1, Егоров А.Ю.2,3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: lazarenko@spbau.ru
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.
Исследовано влияние толщины переходного слоя In0.52Al0.48As на подвижность электронов в канале InAlAs/InGaAs/GaAs HEMT-транзистора с метаморфным буфером. Исследования проводились методами атомно-силовой микроскопии и методом Холла. Оптимальная конструкция буфера способствует подавлению прорастания дислокаций несоответствия в верхние слои гетероструктуры и препятствует развитию микрорельефа поверхности.
- Kastalski A., Keihl R.A. // IPCS. 1985. N 79. P. 535
- Sato Y., Kita T., Gozu S., Yamada S. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 8017
- Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б. и др. // ФТП. 2011. Т. 45. В. 5. С. 666
- Егоров А.Ю., Гладышев А.Г., Никитина Е.В. и др // ФТП. 2010. Т. 44. В. 7. С. 950
- Yuan K., Radhakrishnan K., Zheng H.Q. et al. // Mat. Sci. Semicond. Proc. 2001. V. 4. P. 637
- Chang J.C.P., Chen J., Fernandez J.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. P. 1129
- Behet M., Van der Zanden K., Borghs G. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 2760
- Cordier Y., Ferre D. // J. Cryst. Growth. 1999. V. 201/202. P. 263
- Zaknoune M., Bonte B., Gaquiere C. // IEEE Electron Device Lett. 1998. V. 9 (9). P. 345
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
