Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 8 » Статья стр. 53
<<<>>>
Низкотемпературная диффузия натрия, имплантированного в кремний
Южный Федеральный Университет (внутренний грант), Программа развития ЮФУ на 2011-2021 гг. Мероприятие "Модернизация научной деятельности№, 213.01-2014/012БЧВГ
Заставной А.В.1, Король В.М.1
1Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
Email: vkorol@ctsnet.ru
Поступила в редакцию: 29 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.
PDF версия
Диффузия имплантированного натрия (энергия ионов E=300 keV, доза Phi=5· 1014-3· 1015 cm-2) изучалась в кремнии, выращенном методом зонной плавки с низкой концентрацией кислорода NO(fz-Si) и методом Чохральского в магнитном поле (mCz-n-Si и mCz-p-Si) с NO~ 5· 1017 cm-3, при температурах отжига Tann=500-420oC (tann=72-1000 h). В fz-Si температурная зависимость коэффициента диффузии D(103/T) в широком интервале Tann=900-420oC является аррениусовской с параметрами Efz=1.28 eV и D0=1.4· 10-2 cm2/s. Такими же параметрами описывается подобная зависимость в mCz-Si в интервале Tann=900-700oC. Однако с уменьшением Tann она характеризуется все более низкими значениями D по сравнению с fz-Si, что связано с образованием сложных комплексов типа Na-On (n более 1). Оценка энергии активации этих комплексов дает величину Delta E~ 2.3 eV.
  1. Korol V.M. // Phys. Stat. Solidi. A. 1988. V. 9. P. 9--34
  2. Wang W.H., Boles W., Illgner C. et al. // Thin Solid Films. 1997. V. 295. P. 169
  3. Король В.М., Заставной А.В. // Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 2001. N 5. P. 74
  4. Francois-Saint-Cyr H., Anoshkina E., Stevie F. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. V. 19. P. 1769
  5. Король В.М. // Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 2005. N 1. С. 105
  6. Король В.М., Веденяпин С.А., Заставной А.В., Ovchinnikov V. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 9. С. 1140
  7. Король В.М., Кудрявцев Ю.А., Заставной А.В., Веденяпин С.А. // Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 2009. N 4. С. 41
  8. Король В.М., Астахов В.П., Веденяпин С.А., Заставной А.В. // Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 2011. N 4. С. 59
  9. Hvidsten Dahl E., Madsboll J., Soiland A.-K. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2013. V. 28. P. 105 010
  10. Заставной А.В., Король В.М. // Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 2014. N 11. С. 93
  11. Cazcarra V., Zunino P. // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. N 8. P. 4206
  12. Pell Е.М. // Phys. Rev. 1960. V. 119. P. 1222
  13. Pell E.M. // J. Appl. Phys. 1961. V. 32. P. 1048
  14. Alta H.Ch., Gomeniuka Y.V., Bittersbergerb F. et al. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2006. V. 9. P. 114--116

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme