Телеграфный шум в туннельных Si p-n-переходах с наноостровками GeSi
Филатов Д.О.1, Казанцева И.А.1, Шенгуров В.Г.1, Чалков В.Ю.1, Денисов С.А.1, Алябина Н.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dmitry_filatov@inbox.ru
Поступила в редакцию: 10 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.
Экспериментально обнаружена генерация телеграфного шума в туннельных p+-n+-переходах на базе Si со встроенными в них самоформирующимися наноостровками GeSi. Эффект связывается с блокированием туннелирования электронов через индивидуальные наноостровки GeSi вследствие генерации и термической эмиссии дырок в/из наноостровков.
- Simoen E., Kaczer B., Toledano-Luque M., Claeysa C. // ECS Transactions. 2011. V. 39. N 1. P. 3
- Kogan Sh. Electronic Noise and Fluctuations in Solids. Cambridge: Cambridge University Press, 2008. 376 p
- Luo M., Wang R., Guo S. et al. // IEEE Trans. Electron Devices. 2015. V. 62. N 6. P. 1725
- Filatov D.O. et al. // Photoluminescence: Applications, Types and Efficacy. New York: Nova Science, 2012. P. 1
- Novikov A.V., Andreev B.A., Vostokov N.V. et al. // Mat. Sci. Eng. B. 2002. V. 89. N 1--3. P. 62
- Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 c
- Зи C. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 1. 456 c. / Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. Hoboken: Wiley-Interscience, 1981. 880 p
- Алёшкин В.Я., Бекин Н.А. // ФТП. 1997. Т. 31. B. 2. С. 171
- Lang D.V. // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. N 7. P. 3023
- Yakimov A.I., Dvurechenskii A.V., Nikiforov A.I., Pchelyakov O.P. // Phys. Low-Dim. Struct. 1999. N 3/4. P. 99
- Лихарев К.К. // Микроэлектроника. 1987. Т. 16. N 3. С. 195
- http://matprop.ru/
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.