Моделирование процесса индентирования наномасштабных пленок на подложках методом молекулярной динамики
Редьков А.В.1,2, Осипов А.В.1,3, Кукушкин С.А.1,2,3
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: avredkov@gmail.com
Поступила в редакцию: 19 января 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.
Показано, что у атомистического моделирования процесса индентирования пленок методом молекулярной динамики имеется ряд преимуществ на наномасштабном уровне по сравнению с традиционным моделированием методом конечных элементов. Изучены эффекты, которые обнаруживаются при таком моделировании, а именно, деламинация, растрескивание пленки под индентором, образование и распространение дислокаций. С помощью потенциала Терсоффа исследованы упругие свойства наномасштабной пленки на подложке на примере карбида кремния на кремнии SiC/Si. В частности, вычислены кривые нагрузки-разгрузки и коэффициент твердости для системы SiC/Si. Показано, что результаты моделирования качественно совпадают с полученными недавно экспериментальными данными по индентированию пленки карбида кремния на кремнии. Изучено влияние параметров потенциала Терсоффа на модуль Юнга материала на примере кремния.
- Nix W.D. // Mater. Sci. Eng.: A. 1997. V. 234--236. P. 37--44
- Fischer-Cripps A.C. Naation. Heidelberg: Springer, 2011. 277 p
- Гращенко А.С., Кукушкин С.А., Осипов А.В. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. B. 24. С. 53--59
- Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V. // Mater. Phys. Mech. 2015. V. 24. P. 35--40
- Doerner M.F., Nix W.D. // J. Mater. Res. 1986. V. 4. P. 601--609
- Bhattacharya A.K., Nix W.D. // Int. J. Solids Struct. 1988. V. 24. N 12. P. 1287--1298
- Lichinchi M., Lenardi C., Haupt J., Vitali R. // Thin Solid Films. 1998. V. 312. P. 240--248
- Saraev D., Miller R.E. // Acta Materialia. 2006. V. 54 (1). P. 33--45
- Lin Y.H., Chen T.C., Yang P.F., Jian S.R., Lai Y.S. // Appl. Surf. Sci. 2007. V. 254. P. 1415--1422
- Liu C.L., Fang T.H., Lin J.F. // Mater. Sci. Eng. A. 2007. V. 452--453. P. 135--141
- Tersoff J. // Phys. Rev. B. 1988. V. 39. P. 5566
- Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. P. 0249 091-7
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2014. Т. 56. В. 4. С. 761--768
- Plimpton S. // J. Comp. Phys. 1995. V. 117. P. 1--19
- Gao Y, Ruestes C.J., Tramontina D.R., Urbassek H.M. // J. Mech. Phys. Sol. 2015. V. 75. P. 58--75
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.