Вышедшие номера
Полевой эффект при протонной и электронно-дырочной проводимости в транзисторе на основе оксида графена
Смирнов В.А.1, Мокрушин А.Д.2, Васильев В.П.1, Денисов Н.Н. 1, Денисова К.Н.3
1Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: vas@icp.ac.ru, mad@iptm.ru, vpvasiliev@mail.ru, ndenisov@cat.icp.ac.ru, ksdenisova@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

В пленках оксида графена можно наблюдать протонную (влажная атмосфера) и электронную (восстановленный оксид графена) проводимости. В транзисторе на основе оксида графена обнаружен и исследован полевой эффект при различных видах проводимости.