Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 13 » Статья стр. 18
<<<>>>
Полевой эффект при протонной и электронно-дырочной проводимости в транзисторе на основе оксида графена
Смирнов В.А.1, Мокрушин А.Д.2, Васильев В.П.1, Денисов Н.Н. 1, Денисова К.Н.3
1Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: vas@icp.ac.ru, mad@iptm.ru, vpvasiliev@mail.ru, ndenisov@cat.icp.ac.ru, ksdenisova@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.
PDF версия
В пленках оксида графена можно наблюдать протонную (влажная атмосфера) и электронную (восстановленный оксид графена) проводимости. В транзисторе на основе оксида графена обнаружен и исследован полевой эффект при различных видах проводимости.
  1. Novoselov K.S., Geim A.K., Morozov S.V., Jiang D., Zhang Y., Dubonos S.V., Grigorieva I.V., Firsov A.A. // Science. 2004. V. 306. P. 666
  2. Lemme M. // Solid State Phenomena. 2010. V. 156. P. 499
  3. Schwierz F. // Nat. Nanotechnol. 2010. V. 5. P. 486
  4. Castro Neto A.H., Guinea F., Peres N.M.R., Novoselov K.S., Geim A.K. // Rev. Mod. Phys. 2009. V. 81. P. 109
  5. Chen J.-H., Jang C., Xiao S., Ishigami M., Fuhrer M.S. // Nat. Nanotechnol. 2008. V. 3. P. 206
  6. Childres I., Jauregui L.A., Foxe M., Tian J., Jalilian R., Jovanovic I., Chen Y.P. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. P. 173 109
  7. Антонова И.В., Котин И.А., Небогатикова Н.А., Принц В.Я. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 19. С. 64
  8. Eda G., Nathan A., Wobkenberg P., Colleaux F., Ghaffarzadeh K., Anthopoulos T.D., Chhowalla M. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. P. 133 108
  9. Standley B., Mendez A., Schmidgall E., Bockrath M. // Nano Lett. 2012. V. 12. P. 1165
  10. Lee S.-K., Jang H.Y., Jang S., Choi E., Hong B.H., Lee J., Park S., Ahn J.-H. // Nano Lett. 2012. V. 12. P. 3472
  11. Smirnov V.A., Denisov N.N., Ukshe A.E., Shulga Yu.M. // Chem. Phys. Lett. 2013. V. 583. P. 155
  12. Smirnov V.A., Denisov N.N., Dremova N.N., Vol'fkovich Y.M., Rychagov A.Y., Sosenkin V.E., Belay K.D., Gutsev G.L., Shulga N.Y., Shulga Yu.M. // Appl. Phys. A. 2014. V. 117. P. 1859
  13. Kunst M., Warman J.M. // Nature. 1980. V. 288. P. 465
  14. Fallahazad B., Lee K., Lian G., Kim S., Corbet C.M., Ferrer D.A., Colombo L., Tutuc E. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 093 112

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme