Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 16 » Статья стр. 41
<<<>>>
Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах
Борисов А.А.1, Журавлев К.С.2, Зырин С.С.1, Лапин В.Г.1, Лукашин В.М.1, Маковецкая A.A.1, Новоселец В.И.1, Пашковский А.Б.1, Торопов А.И.2, Урсуляк Н.Д.1, Щербаков С.В.1
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 22 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.
PDF версия
Проведено сравнение малосигнальных характеристик транзисторов на псевдоморфной гетероструктуре с донорно-акцепторным легированием (DA-pHEMT) и транзисторов на традиционной псевдоморфной гетероструктуре (pHEMT) без акцепторного легирования. Показано, что DA-pHEMT при прочих равных условиях, несмотря на меньшие значения слабополевой подвижности электронов, имеют заметно больший коэффициент усиления, чем обычные pHEMT. Эффект обусловлен тем, что в DA-pHEMT средняя дрейфовая скорость под затвором заметно (по оценкам в 1.4-1.6 раза) выше. Рост дрейфовой скорости вызван двумя основными, сравнимыми по влиянию причинами: уменьшением роли поперечного пространственного переноса за счет усиления локализации горячих электронов в канале и уменьшением рассеяния горячих электронов из-за сильного размерного квантования в потенциальной яме DA-pHEMT-структуры.
  1. Пашковский А.Б., Тагер А.С. // Электрон. техн. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1987. В. 7 (401). С. 29--32
  2. Пашковский А.Б., Тагер А.С. // Электрон. техн. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1988. В. 3 (407). С. 28--32
  3. Mei X., Yoshida W., Lange M., Lee J. et al. // IEEE Electron Device Lett. 2015. V. 36. N 4. P. 327--329
  4. Moschetti G., Leuther A., Mab ler, B. Aja et al. // IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. 2015. V. 25. N 9. P. 618--620
  5. Campos-Roca Y., Tessmann A., Amado-Rey B., Wagner S. et al. // IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. 2014. V. 24. N 11. P. 787--789
  6. Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Журавлев К.С., Торопов А.И., Лапин В.Г., Соколов А.Б. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 17. С. 84--89
  7. Журавлев К.С., Лапин В.Г., Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Соколов А.Б., Торопов А.И. // Электрон. техн. Сер. 1. СВЧ-техника. 2012. В. 1(512). С. 55--61
  8. Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Журавлев К.С., Торопов А.И., Лапин В.Г., Голант Е.И., Капралова А.А. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 5. С. 684--692
  9. Шварц Н.З. Линейные транзисторные усилители СВЧ. М.: Сов. радио, 1980
  10. Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Лапин В.Г., Щербаков С.В., Капралова А.А., Журавлев К.С., Торопов А.И. // Электрон. техн. Сер. 1. СВЧ-техника. 2014. В. 3 (522). С. 5--14
  11. Лапин В.Г., Лукашин В.М., Петров К.И., Темнов А.М. // Электрон. техн. Сер. 1. СВЧ-техника. 2011. В. 4 (511). С. 59--71
  12. Кувшинова Н.А., Лапин В.Г., Лукашин В.М., Петров К.И. // Радиотехника. 2011. В. 11. С. 90--93
  13. Shur M. // Electron. Lett. 1976. V. 12. N 23. P. 615--616.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme