Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 20 » Статья стр. 73
<<<
Квантовая эффективность 4H-SiC-детекторов в диапазоне 114-400 nm
Калинина Е.В.1, Виолина Г.Н.2, Белик В.П.1, Николаев А.В.1, Забродский В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
Email: evk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.
PDF версия
Исследованы электрические и спектрометрические характеристики детекторов на основе 4H-SiC с Cr-барьерами Шоттки в спектральных диапазонах 114-175 и 210-400 nm. Показано, что качество коммерчески доступных слоев 4H-SiC позволяет создавать детекторы ультрафиолетового излучения с внешним квантовым выходом больше 20% в исследованных диапазонах.
  1. Korde R., Cable J.S., Canfield L.R. // IEE Trans. Nuclear Sci. 1993. V. 40 (6). P. 1655
  2. Shaw P.-S., Gupta R., Lykke K.R. // Appl. Opt. 2005. V. 44 (2). P. 197
  3. Richter M., Krith U., Gottwald A. et al. // Appl. Opt. 2002. V. 41 (34). P. 7167
  4. BenMoussa A., Soltani A., Schuhle U., Haenen K. et al. // Diamond \& Relat. Mater. 2009. V. 18. P. 860
  5. Sglux-www.sglux.com; www.eoc-inc.com
  6. Brown D.M., Downey E.T., Ghezzo M. et al. // IEEE Trans. Electron Devices. 1993. V. 40. P. 325
  7. Yan F., Xin X., Aslam S. et al. // IEEE J. Guantum Electron. 2004. V. 40. P. 1315
  8. Xin X., Yan F., Koeth T.W. et al. // Electron. Lett. 2005. V. 41 (21). P. 1192
  9. Hu J., Xin X., Zhao J.H., Yan F. et al. // Оpt. Electron. 2006. V. 31 (11). P. 1591
  10. Blank T.V., Goldberg Yu.А., Kalinina E.V. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. P. 710
  11. Калинина Е.В., Лебедев А.А., Богданова Е.В. и др. // ФТП. 2015. Т. 49 (4). С. 550
  12. Watanabe N., Kimoto T., Suda J. // Appl. Phys. Express. 2012. V. 5. P. 094 101. (1)
  13. Berenquier B., Ottaviani L., Biondo S., Lazar M. et al. // MSF. 2015. V. 821--823. P. 644
  14. Namioka T. // J. Opt. Soc. Am. 1959. V. 49 (10). P. 951
  15. Невяжская И.А., Тяпков В.А., Шилина Н.В., Шилов В.Б. // Оптический журнал. 2012. В. 8. С. 108
  16. Gottwald А., Kroth U., Richter M. et al. // Meas. Sci. Technol. 2010. V. 21. P. 125 101
  17. Levinshtein M., Rumyantsev S., Shur M. // Properties of Advanced Semiconductor Materials. N.Y.: Willey, 2001. Chap. 5. P. 93

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme