Исследование электрофизических свойств поверхности пористого GaP(111)
Масалов С.А.1, Атращенко А.В.1, Улин В.П.1, Попов Е.О.1, Колосько А.Г.1, Филиппов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergeym@mail.com
Поступила в редакцию: 17 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
Проведены измерения локальных электрофизических свойств поверхности пористого GaP с использованием методики туннельной спектроскопии в сверхвысоком вакууме. Обнаружены две области поверхности с различными электрофизическими свойствами. Наблюдался эффект аномальной полевой фотоэмиссии, наиболее вероятной причиной которой является наличие нанокластеров Ga2O3, GaP и ассоциированных с ними поверхностных состояний акцепторного типа, обладающих высокой плотностью. Для получения интегральных характеристик полевой электронной эмиссии с поверхности образца использовалась компьютеризированная система регистрации с онлайн-обработкой воль-тамперных характеристик.
- Belogorokhov A.I., Karavanskii V.A., Obraztsov A.N., Timoshenko V.Yu. // JETP Lett. 1994. V. 60. P. 274
- Tiginyanu I.M., Irmer G., Monecke J., Hartnagel H.L. // Phys. Rev. B. 1997. V. 55. P. 6739
- Atrashchenko A., Arlauskas A., Adomavicius R. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. N 20. P. 191 905
- Mac-Kay К. // Phys. Rev. 1951. V. 84. P. 829
- Богданкевич О.В., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г. // Полупроводниковые лазеры. М.: Наука, 1976. C. 209
- Улин В.П., Конников С.Г. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 7. C. 854
- Ichizli V., Hartnagel H.L., Mimura H. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. N 24. P. 4016
- Колосько А.Г., Ершов М.В., Филиппов С.В., Попов Е.О. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. B. 10. C. 72
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.