Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2017, выпуск 1 » Статья стр. 5
>>>
Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке
DOI: 10.21883/PJTF.2017.01.44083.16442
Бохан П.А.1, Журавлёв К.С.2, Закревский Дм.Э.1, Малин Т.В.1, Осинных И.В.1, Фатеев Н.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: zakrdm@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 17 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.
PDF версия
При оптической накачке импульсным лазерным излучением с lambda = 266 nm твердых растворов AlxGa1-xN/ AlN с x = 0.5 и 0.74, синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, исследованы спектральные характеристики спонтанной и стимулированной люминесценции. Получены широкополосные спектры излучения с шириной ~ 260 THz для Al0.5Ga0.5N и ~ 360 THz для Al0.74Ga0.26N. Измеренные коэффициенты усиления на lambda~ 528 nm для Al0.5Ga0.5N равны g~ 70 cm-1, а для Al0.74Ga0.26N на lambda~ 468 nm g~ 20 cm-1.
  1. Nakamura S., Pearton S., Fasol G. The Blue Laser Diode. Springer, 2000
  2. Bokhan P.A., Gugin P.P., Zakrevsky Dm.E. et al. // J. Appl. Phys. 2014. V. 116. P. 113103
  3. Yoshida S., Misawa S., Gonda S. // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. P. 6844--6848
  4. Zhao D.G., Jiang D.S., Zhu J.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. P. 041901
  5. Osinnykh I.V., Malin T.V., Plyusnin V.F. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2016. V. 55. P. 05FG09
  6. Zhuravlev K.S., Osinnykh I.V., Protasov D.Yu. et al. // Phys. Status Solidi C. 2013. V. 10. P. 315--318
  7. Shaklee K.L., Leheny R.F. // Appl. Phys. Lett. 1971. V. 18. P. 475--477
  8. Sanford N.A., Robins L.H., Davydov A.V. et al. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. P. 2980--2991
  9. Antoine-Vincent N., Natali F., Mihailovic M. et al. // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. P. 5222--5226
  10. Kogelnik H. // IEEE Trans. Microwave Theory Techn. 1975. V. 23. P. 2--16
  11. Muth J.F., Brown J.D., Johnson M.A.L. et al. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1999. V. 4S1. P. G5.2
  12. Малин Т.В., Гилинский А.М., Мансуров В.Г. и др. // ФТП. 2015. Т. 49. С. 1329--1333. ( Malin T.V., Gilinsky A.M., Mansurov V.G. et al. // Semiconductors. 2015. V. 49. P. 1285--1289)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme