Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm
Маричев А.Е.1, Левин Р.В.1, Гордеева А.Б.1, Гагис Г.С.1, Кучинский В.И.1, Пушный Б.В.1, Прасолов Н.Д.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Natalia.Shmidt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 августа 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.
Исследованы особенности релаксации механических напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах, являющихся основой для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm. Показано, что релаксация механических напряжений путем образования упорядоченного рельефа на поверхности слоев твердого раствора InGaAsP/InP-гетероструктур с составом твердого раствора по индию до 80% позволяет уменьшить вероятность спинодального распада твердого раствора, повысить на порядок интенсивность фотолюминесценции твердого раствора и увеличить эффективность преобразования лазерного излучения. DOI: 10.21883/PJTF.2017.02.44180.16463
- Крохин О.Н. // УФН. 2006. Т. 176. N 4. С. 441--444
- Hecht J. // New Scientist. 2010. V. 207. P. 25
- 3.http://www.lasermotive.com
- Вавилова Л.С., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Тарасов И.С. // ФТП. 2000. Т. 34. С. 1307
- Asomoza R., Elyukhin V.A. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 222. P. 58--63
- Schlenker D., Miyamoto T. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. P. 5751--5757
- Onabe K. // Jpn. J. Appl. Phys. 1982. V. 21. N 5. P. 797--798
- Marichev A.E., Pushnyi B.V., Levin R.V. // J. Phys.: Conf. Ser. 2016. V. 690. P. 012 010
- Левин Р.В., Маричев А.Е., Шварц М.З. и др. // ФТП. 2015. T. 49. В. 5. С. 715--719
- Hull R., Gray J., Wu C.C. et al. // J. Phys.: Cond. Matter. 2002. V. 14. P. 12 829--12 841
- Гегузин Я.Е. Диффузионная зона. М.: Наука, 1979. 343 c.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.