Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2017, выпуск 3 » Статья стр. 29
<<<>>>
Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе alpha-Si : H/Si
DOI: 10.21883/PJTF.2017.03.44224.16473
Саченко А.В.1, Костылев В.П.1, Соколовский И.О.1, Бобыль А.В.2, Вербицкий В.Н.2, Теруков Е.И.2,3, Шварц М.З.2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия
Email: sach@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 8 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.
PDF версия
Рассмотрена специфика формирования темновых ВАХ I(V) гетеропереходных солнечных элементов на основе alpha-Si : H/Si с учетом соотношения между уровнем легирования кремния Nd и величиной избыточной концентрации электронно-дырочных пар Delta n. Показано, что при Delta n≥ Nd ВАХ принципиально отличается от ВАХ классического диода Шокли из-за влияния тыльной поверхности (вследствие дополнительного падения приложенного напряжения). Результаты анализа применены для описания экспериментальных ВАХ, наблюдаемых в работах по исследованию гетеропереходных солнечных элементов на основе alpha-Si : H/Si. Из сравнения экспериментальных и расчетных зависимостей I(V) получены численные значения факторов идеальности их темновых ВАХ. DOI: 10.21883/PJTF.2017.03.44224.16473
  1. Taguchi M. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 2008. V. 47. N 2. P. 814
  2. Schulze T.F. et al. // J. Appl. Phys. 2014. V. 107. P. 023711
  3. Shockley W. // Bell System Techn. J. 1949. V. 28. P. 435
  4. Sachenko A.V. et al. // Semiconductors. 2015. V. 49. P. 271
  5. Sachenko A.V. et al. // Semiconductors. 2016. V. 50. P. 259
  6. Sachenko A.V., Kryuchenko Yu.V. et al. // J. Appl. Phys. 2016. V. 119. P. 225702
  7. Sachenko A.V. et al. // Semiconductors. 2006. V. 40. P. 213
  8. Richter A. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 86. P. 165202

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme