Вышедшие номера
Влияние гамма-излучения малых доз на электрофизические свойства мезопористого кремния
Министерство образования и науки Российской Федераци, Базовая часть государственного задания 2014-2016 гг. Проект "Фазовая и структурная модификация микро- и наноструктур электромагнитным излучением широкого диапазона энергий", Проект №3468
Биленко Д.И. 1, Галушка В.В. 1, Жаркова Э.А. 1, Сидоров В.И.1, Терин Д.В. 1,2, Хасина Е.И. 1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А., Саратов, Россия
Email: lab32@mail.ru
Поступила в редакцию: 14 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Исследовано влияние гамма-излучения малых экспозиционных доз (5-40 kR) на электрические характеристики структур на основе слоя мезопористого кремния (SiMP). Показано, что в структуре Al/SiMP/p-Si/Al воздействие гамма-квантов приводит к возрастанию проводимости слоя SiMP, смещению уровня Ферми, изменению концентрации ловушек. Обнаружена долговременная память стабильного переключенного состояния в области гистерезиса I-V-характеристики, управляемая дозой излучения. DOI: 10.21883/PJTF.2017.03.44228.16408