Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2017, выпуск 4 » Статья стр. 89
<<<>>>
Исследование связи степени дефектности светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов с величиной порогового тока
DOI: 10.21883/PJTF.2017.04.44302.16344
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс проектов фундаментальных научных исследований, выполняемых молодыми учеными – докторами или кандидатами наук, в научных организациях Российской Федерации в 2016-2018 годах, 16-32-60051
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс 2016 года проектов ориентированных фундаментальных научных исследований по междисциплинарным темам, проводимый совместно федеральным государственным бюджетным учреждением «Российский фонд фундаментальных исследований» и Правительством Ульяновской области., 16-47-732159
Сергеев В.А. 1,2, Фролов И.В. 1, Радаев О.А. 1,2
1Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Ульяновск, Россия
2Ульяновский государственный технический университет, Ульяновск, Россия
Email: sva@ulstu.ru, ilya-frolov88@mail.ru, oleg.radaev.91@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.
PDF версия
Показана возможность использования значений порогового тока для оценки качества светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов. Определено, что значения порогового тока коррелируют со значениями тока, при котором наблюдается максимум токовой зависимости внешней квантовой эффективности светодиода. Показано, что при испытаниях в режиме постоянного тока светодиоды с большими значениями порогового тока деградируют быстрее, чем светодиоды с малыми значениями порогового тока. DOI: 10.21883/PJTF.2017.04.44302.16344
  1. Nippert F., Karpov S., Pietzonka I. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 2016. V. 55. P. 05FJ01
  2. Meneghini M., Grassa M. la, Vaccari S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. P. 113505
  3. Шуберт Ф. Светодиоды. М.: Физматлит, 2008
  4. Аверкиев Н.С., Левинштейн М.Е., Петров П.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 19. С. 97
  5. Радаев О.А., Сергеев В.А. // Радиоэлектронная техника. 2015. N 2. С. 249
  6. Radaev О.А., Sergeev V.A., Frolov I.V. // Book of Abstracts of 3rd International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2016". St. Petersburg, Russia, March 28-30, 2016. St. Petersburg Academic University, 2016
  7. Королюк В.С., Портенко Н.И., Скороход А.В., Турбин А.Ф. Справочник по теории вероятностей и математической статистике. М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1985
  8. Cunningham J.A. // IEEE Trans. Semicond. Manufact. 1990. V. 3. N 2. P. 60
  9. Sato H., Ikota M., Sugimoto A., Masuda H. // IEEE Trans. Semicond. Manufact. 1999. V. 12. N 4. P. 409
  10. Meneghesso G., Meneghini M., Zanoni E. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. V. 43. P. 354007

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme