Вышедшие номера
Контроль упругих напряжений с помощью оптической системы измерения кривизны подложки при росте гетероструктур III-N методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Золотухин Д.С.1, Нечаев Д.В.1, Иванов С.В.1, Жмерик В.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: zolotukhin.beam@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Описывается оригинальная оптическая система измерений кривизны подложек (ОСИКП), позволяющая с высокой точностью исследовать процессы генерации и релаксации упругих напряжений во время роста гетероструктур (ГС) на основе нитридных соединений III-N методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии (ПА МПЭ). Применение разработанной ОСИКП для анализа роста ГС GaN/AlN/Si(111) позволило не только детально пронаблюдать динамику изменения упругих напряжений в этой структуре при ее металлобогащенном росте низкотемпературной ПА МПЭ, но и разработать конструкцию ГС, исключающую эффект растрескивания слоев за счет контроля величины сжимающих напряжений. DOI: 10.21883/PJTF.2017.05.44363.16508