Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2017, выпуск 5 » Статья стр. 60
<<<>>>
Контроль упругих напряжений с помощью оптической системы измерения кривизны подложки при росте гетероструктур III-N методом молекулярно-пучковой эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2017.05.44363.16508
Золотухин Д.С.1, Нечаев Д.В.1, Иванов С.В.1, Жмерик В.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: zolotukhin.beam@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.
PDF версия
Описывается оригинальная оптическая система измерений кривизны подложек (ОСИКП), позволяющая с высокой точностью исследовать процессы генерации и релаксации упругих напряжений во время роста гетероструктур (ГС) на основе нитридных соединений III-N методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии (ПА МПЭ). Применение разработанной ОСИКП для анализа роста ГС GaN/AlN/Si(111) позволило не только детально пронаблюдать динамику изменения упругих напряжений в этой структуре при ее металлобогащенном росте низкотемпературной ПА МПЭ, но и разработать конструкцию ГС, исключающую эффект растрескивания слоев за счет контроля величины сжимающих напряжений. DOI: 10.21883/PJTF.2017.05.44363.16508
  1. Kukushkin S.A., Osipov A.V., Bessolov V.N. et al. // Rev. Adv. Mater. Sci. 2008. V. 17. P. 1
  2. Ратников В.В., Нечаев В.Н., Жмерик В.Н., Иванов С.В. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 8. С. 61
  3. Baron N., Cordier Y., Chenot S. et al. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. P. 033701
  4. Нечаев Д.В., Жмерик В.Н., Мизеров А.М. и др. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 9. С. 96
  5. Hearne S., Chason E., Han E. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 356
  6. Raghavan S., Redwing J.M. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 023514
  7. Aidam R., Diwo E., Rollbuhler N. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V. 111 P. 114516
  8. Nechaev D.V., Aseev P.A., Jmerik V.N. et al. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 378. P. 319
  9. Jmerik V.N., Mizerov V.N., Nechaev D.V. et al. // J. Cryst. Growth. 2012. V. 354. P. 188
  10. Floro J.A., Chason E., Lee S.R. et al. // J. Electron. Mater. 1997. V. 26. P. 969
  11. Vurgaftman I., Meyer J.R. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. P. 3675
  12. Maroudas D., Zepeda-Ruiz L.A., Weinberg W.H. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 753
  13. Floro J.A., Chason E., Cammarata R.C., Srolovitz D.J. // MRS Bull. 2002. V. 27. P. 19.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme