Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии
Дроздов М.Н.1, Данильцев В.М.1, Дроздов Ю.Н.1, Хрыкин О.И.1, Юнин П.А.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: drm@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 23 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.
Развиваются новые возможности метода вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа атомного состава нанокластеров InGaAs в матрице GaAs. С использованием тестовых структур InxGa1-xAs получены нелинейные калибровочные зависимости "интенсивность-концентрация" для вторичных ионов In2As и InAs, которые не содержат нормировки на элементы матрицы Ga или As и позволяют селективно анализировать состав нанокластеров. Проведен количественный послойный анализ концентрации индия и определены статистические характеристики массивов нанокластеров в гетероструктурах InGaAs/GaAs. DOI: 10.21883/PJTF.2017.10.44620.16635
- Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Новиков А.В. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. С. 1138
- Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Захаров Н.Д. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. С. 36
- Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Новиков А.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. С. 40
- Wilson R.G. // Int. J. Mass Spectrom. Ion Processes. 1995. V. 143. P. 43
- Franquet A., Douhard B., Melkonyan D. et al. // Appl. Surf. Sci. 2016. V. 365. P. 143
- Franquet A., Douhard B., Conard T. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2016. V. 34 (3). P. 03H127-1
- Шашкин В.И., Данильцев В.М., Дроздов М.Н. и др. // Прикладная физика. 2007. N 2. С. 73
- Дроздов М.Н., Данильцев В.М., Молдавская Л.Д., Шашкин В.И. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. С. 3
- Дроздов М.Н., Востоков Н.В., Данильцев В.М. и др. // ФТП. 2008. Т. 42. С. 303
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.