Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2017, выпуск 11 » Статья стр. 55
<<<>>>
Субнаносекундноe ударно-ионизационное переключение кремниевых структур без p-n-переходов
DOI: 10.21883/PJTF.2017.11.44697.16608
Подольская Н.И.1,2, Родин П.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2СПбО МСЦ РАН, Санкт-Петербург
Email: rodin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.
PDF версия
Показано, что быстронарастающий высоковольтный импульс напряжения, приложенный к кремниевой n+-n-n+-структуре, приводит к субнаносекундному лавинному пробою, генерации во всем объеме структуры электронно-дырочной плазмы и переключению структуры в проводящее состояние за время около 100 ps. Предсказанный эффект внешне сходен с задержанным лавинным пробоем обратносмещенных диодных p+-n-n+-структур, но реализуется в структуре без p-n-переходов. DOI: 10.21883/PJTF.2017.11.44697.16608
  1. Грехов И.В., Кардо-Сысоев А.Ф. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. В. 15. С. 950--953
  2. Kardo-Sysoev A.F. // New Power Semiconductor Devices for Generation of Nano- and Subnanosecond Pulses, in Ultra-Wideband Radar Technology / Ed. J.D. Taylor. Boca Raton, London, New York, Washington: CRS Press, 2001
  3. Levinshtein М., Kostamovaara J., Vainshtein S. // Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices. London: World Scientific, 2005
  4. Focia R.J., Schamiloghu Е., Flederman C.B. et al. // IEEE Trans. Plasma Sci. 1997. V. 25. P. 138--144
  5. Grekhov I.V. // IEEE Trans. Plasma Sci. 2010. V. 38. P. 1118--1123
  6. Месяц Г.А., Насибов А.С., Шпак В.Г. и др. // ЖЭТФ. 2008. Т. 133. В. 6. С. 1162--1168
  7. Брылевский В.И., Смирнова И.А., Родин П.Б., Грехов И.В. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 8. С. 80--87
  8. Rodin P., Rodina A., Grekhov I. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. N 9. P. 094506
  9. http://www.silvaco.com
  10. Valdinoci М., Ventura D., Vecchi M.C. et al. // Proceedings of the International Conference on Simulations of Semiconductor Processes and Devices SISPAD'99. Kyoto, Japan. Sept. 6-8. 1999. P. 27--30

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme