Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2017, выпуск 12 » Статья стр. 9
<<<>>>
Инжекция эмиссионных электронов в мультизеренной наноструктуре полупроводников
DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44703.16644
Жуков Н.Д.1, Хазанов А.А.1, Переверзев Я.Е.2
1ООО "Реф-Свет", Саратов
2Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.
PDF версия
Методами аппроксимации экспериментальных ВАХ исследован механизм инжекции эмиссионных электронов и сделан вывод о том, что инжекция в монокристаллическую и мультизеренную полупроводниковые структуры может быть описана одной физической моделью, состоящей в туннельном преодолении электронами поверхностного барьера и диффузионно-дрейфовом транспорте неравновесных электронов в полупроводнике. Определяющей закономерностью ВАХ является степенная зависимость с показателями степени от 2 до 4. Анализ ВАХ позволяет оценить произведение величин подвижности и диффузионной длины неравновесных электронов. Результаты могут быть использованы в исследованиях и при разработках мультизеренных структур для газовых и оптических сенсоров, приемников и излучателей инфракрасного и терагерцевого диапазонов. DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44703.16644
  1. Третьяков Ю.Д. // Нанотехнологии. Экология. Производство. 2011. N 1(8). С. 98
  2. Глухова О.Е., Гороховский А.В., Жуков Н.Д. и др. Основы наноиндустрии. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2009. 384 с
  3. Пещерова С.М., Непомнящих А.М., Павлов Л.А. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 4. С. 492
  4. Бобков А.А., Максимов А.И., Мошников В.А. и др. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 10. С. 1402
  5. Витухновский А.Г., Ващенко А.А., Бычковский Д.Н. и др. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 12. С. 1591
  6. Achermann M., Petruska M.A., Kos S. et al. // Nature. 2004. V. 429. P. 642
  7. Жуков Н.Д., Глуховской Е.Г., Хазанов А.А. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 6. С. 772
  8. Жуков Н.Д., Мосияш Д.С., Хазанов А.А. и др. // Прикладная физика. 2015. N 3. С. 93
  9. Глуховской Е.Г., Жуков Н.Д. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 14. С. 47
  10. Глезер А.М., Столяров В.Л., Томчук А.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 1. С. 103
  11. Егоров Н.В., Шешин Е.П. Электронная эмиссия. М.: Интеллект, 2011
  12. Гольдман Е.И., Гуляев Ю.B., Ждан А.Г. и др. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 8. С. 1050
  13. Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М: Мир, 1975
  14. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973
  15. Мурсататов Ш.А., Лейдерман А.Ю., Айтбаев Б.У. и др. // ФТТ. 2009. Т. 51. В. 10. С. 1917
  16. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир, 1967

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme