Исследованы вольт-амперные характеристики барьеров Шоттки Au/Ti/ n-InAlAs/InP в температурном диапазоне 100-380 K. Показано, что при повышении температуры от 100 до 200 K коэффициент идеальности уменьшается от 1.58 до 1.1, а высота барьера повышается от 0.55 до 0.69 eV. При дальнейшем повышении температуры от 200 до 380 K коэффициент идеальности и высота барьера изменяются слабо. Такое поведение хорошо согласуется с моделью латеральной неоднородности высоты барьера (модель Танга), что подтверждается линейной зависимостью высоты барьера от коэффициента идеальности в диапазоне температур 100-200 K. В соответствии с этой моделью были рассчитаны значения высоты барьера гомогенного перехода 0.88 eV, среднеквадратичного отклонения 10^-4cm^2/3· V^1/3 гауссова распределения высоты барьера, эффективной площади областей с пониженной высотой барьера 3.7· 10^-11 cm² и постоянной Ричардсона 10.7 A· cm^-2· K^-2. DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44712.16700

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.