Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Получение стехиометрической пленки Bi2Se3 вакуумно-термической обработкой гетероструктуры Se/Bi
Когай В.Я.1, Михеев К.Г.1, Михеев Г.М.1
1Институт механики УрО РАН, Ижевск
Email: vkogai@udman.ru
Поступила в редакцию: 2 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.
Впервые показана возможность получения стехиометрической пленки Bi2Se3 вакуумно-термической обработкой гетероструктуры Se/Bi. Установлено, что получение стехиометрической пленки Bi2Se3 возможно только при определенном соотношении толщин пленок Se и Bi (dSe/ dBi = 3.13). Методами рентгеновской дифрактометрии и спектроскопии комбинационного рассеяния света изучены фазовые превращения, протекающие в гетероструктуре Se(141 nm)/ Bi(45 nm) после вакуумно-термической обработки. Определены температуры фазового перехода, при которых образуются различные кристаллические фазы. Показано, что в гетероструктуре Se(141 nm)/Bi(45 nm), нагретой до 493 K, процесс кристаллизации Bi2Se3 протекает по экспоненциальному закону с характерным временем установления равновесного состояния 20 min. DOI: 10.21883/PJTF.2017.15.44868.16728
- Новоселова А.В., Лазарев В.Б., Медведева З.С. и др. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. M.: Наука, 1979. 340 с
- Pejova B., Grozdanov I., Tanusevski A. // Mater. Chem. Phys. 2004. V. 83. P. 245--249
- Xia Y., Qian D., Hsieh D. et al. // Nature Phys. 2009. V. 5. P. 398--402
- Jamali M., Lii J.S., Jeong J.S. et al. // Nano Lett. 2015. V. 15. P. 7126--7132
- Лукьянова Л.Н., Бойков Ю.А., Данилов В.А. и др. // ФТТ. 2014. Т. 56. В. 5. С. 907--914
- Zhang H., Liu C., Qi X. et al. // Nature Phys. 2009. V. 5. P. 438--442
- Филянина М.В., Климовских И.И., Еремеев С.В. и др. // ФТТ. 2016. Т. 58. В. 4. С. 754--762
- Pramanik P., Bhattacharya R.N., Mondal A.A. // J. Electrochem. Soc. 1980. V. 2. P. 1857--1858
- Pejova B., Grozdanov I. // Thin Solid Films. 2002. V. 408. P. 6--10
- Sankapal B.R., Mane R.S., Lokhande C.D. // Mater. Chem. Phys. 2000. V. 63. P. 230--234
- He L., Xiu F., Wang Y. et al. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 103702
- John K.J., Pradeep B., Mathai E. // Solid State Commun. 1993. V. 85. P. 879--881
- John K.J., Pradeep B., Mathai E. // Solid State Commun. 1992. V. 83. P. 501--503
- Когай В.Я., Вахрушев А.В., Федотов А.Ю. // Письма в ЖЭТФ. 2012. Т. 95. В. 9. С. 514--517
- Когай В.Я., Вахрушев А.В. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 23. С. 34--38
- Когай В.Я. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 15. С. 14--21
- Когай В.Я. // ЖТФ. 2016. Т. 86. В. 3. С. 143--145
- Михеев Г.М., Михеев К.Г., Аношкин И.В., Насибулин А.Г. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 18. С. 46--52
- Mikheev K.G., Saushin A.S., Zonov R.G. et al. // J. Nanophotonics. 2016. V. 10. P. 0125051
- Minaev V.S., Timoshenkov S.P., Kalugin V.V. // J. Optoelectron. Adv. Materials. 2011. V. 13. P. 1393--1399
- Тентилова И.Ю., Каптелов Е.Ю., Пронин И.П., Уголков В.Л. // Неорганические материалы. 2012. Т. 48. N 11. С. 1269--1273
- Trentelman K. // J. Raman Spectrosc. 2009. V. 40. P. 585--589
- Zhang J., Peng Z., Soni A. et al. // Nano Lett. 2011. V. 11. P. 2407--2414
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
