Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2017, выпуск 19 » Статья стр. 78
<<<>>>
Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
DOI: 10.21883/PJTF.2017.19.45085.16810
Васильев В.И. 1, Гагис Г.С. 1, Лeвин Р.В. 1,2, Кучинский В.И.1, Дерягин А.Г.1, Казанцев Д.Ю.1, Бер Б.Я. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: giman@mail.ioffe.ru, galina.gagis@gmail.com, Lev@vpegroup.ioffe.ru, dukazantsev@mail.ioffe.ru, boris.ber@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.
PDF версия
При исследовании полученных методом газофазной эпитаксии гетероструктур InAsxPySb1-x-y/InAs (x>0.55) для рассогласованных с подложкой образцов методом вторичной ионной масс-спектрометрии выявлено заметное и протяженное (~800 nm) изменение содержания As и P (y до 0.12) по толщине слоя, носящее экспоненциальный характер. Рассчитанное по измеренному распределению компонентов As и P несоответствие параметров решеток было максимальным на границе эпитаксиального слоя с подложкой и уменьшалось по мере удаления от гетероинтерфейса в глубь эпитаксиального слоя. DOI: 10.21883/PJTF.2017.19.45085.16810
  1. Feron O., Sugiyama M., Asawamethapant W., Futukuchi N., Feurprier Y., Nakano Y., Shimogaki Y. // Appl. Surf. Sci. 2000. V. 159-160. P. 318-327
  2. Razeghi M. MOCVD challenge. Survey of GaInAsP--InP \& GaInAsP--GaAs for photonic and electronic device applications. 2nd. Taylor and Francis/CRC Press, 2010. 773 p
  3. Закгейм А.Л., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Лавров А.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Усикова А.А., Черняков А.Е. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 2. С. 269-275
  4. Bolkhovityanov Yu.B., Chikichev S.I. // Crystal. Res. Tecnol. 1983. V. 18. N 7. P. 847-857
  5. Романов В.В., Байдакова М.В., Моисеев К.Д. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 6. С. 753-758
  6. Васильев В.И., Гагис Г.С., Левин Р.В., Дерягин А.Г., Кучинский В.И., Пушный Б.В. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 9, С. 23-30
  7. Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. N 11. P. 5815-5875
  8. Duchemin J.R., Hirtz J.P., Razeghi M, Bonnet M., Hersee S.D. // J. Cryst. Growth. 1981. V. 55. P. 64-73.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme