Вышедшие номера
Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Васильев В.И. 1, Гагис Г.С. 1, Лeвин Р.В. 1,2, Кучинский В.И.1, Дерягин А.Г.1, Казанцев Д.Ю.1, Бер Б.Я. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: giman@mail.ioffe.ru, galina.gagis@gmail.com, Lev@vpegroup.ioffe.ru, dukazantsev@mail.ioffe.ru, boris.ber@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

При исследовании полученных методом газофазной эпитаксии гетероструктур InAsxPySb1-x-y/InAs (x>0.55) для рассогласованных с подложкой образцов методом вторичной ионной масс-спектрометрии выявлено заметное и протяженное (~800 nm) изменение содержания As и P (y до 0.12) по толщине слоя, носящее экспоненциальный характер. Рассчитанное по измеренному распределению компонентов As и P несоответствие параметров решеток было максимальным на границе эпитаксиального слоя с подложкой и уменьшалось по мере удаления от гетероинтерфейса в глубь эпитаксиального слоя. DOI: 10.21883/PJTF.2017.19.45085.16810